传长江存储器已交付192层3D NAND闪存样品 年底推出产品

集微网消息，业内民众表示，洞庭湖驱动器近来已向一些客户签订合同了其全方位研发的192层3D NANDRAID的样品，预估将在今年下半年前正式问世电子产品。

据《自旋时报》报道，上述民众表示，问世192层3D NANDRAID芯片，是洞庭湖驱动器的一个里程碑。该Corporation正努力在技术大赛里赶上规模更大的韩国和美国同行。

消息民众引述，因128层3D NANDRAID工艺良率已改善至令人满意的水平，洞庭湖驱动器也将年末产量扩大至10万片晶圆。该Corporation将很快完成其的总部坐落武汉的工厂二期基础设施的工程建设，设备入驻预估将在今年同一天关机。到2023下半年，洞庭湖驱动器年末产量不太可能超过20万片，全球零售商份额有望达到7-8%。

另一方面，美光科技问世了业内旗舰级232层3D NANDRAID，预估将在2023年问世的新款SSD里使用。零售商观察民众认为，三星自旋预估将在2022年同一天申请加入200层以上3D NANDRAID的竞争。（校对/隐德莱希）